第四季度DRAM价格将迎来大跌？

第四季度DRAM价格将迎来大跌？

根据市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示，时间已经进入9月下半月，是厂商商定第四季合约价格的关键时刻。 受明显升温影响，价格走弱趋势更加明显，第四季DRAM合约价跌幅将从原先预估的季跌1-3%扩大至5%左右。

DRAMeXchange资深合伙人吴雅婷指出btc季度合约价，DRAM价格在过去九个季度大幅上涨，但从今年第三季开始价格开始走弱，标准PC DRAM和服务器DRAM的价格涨幅收窄至1-2%。 旺季DRAM价格持平，图形用DRAM率先降价。 观察现货市场情况，价格自年初以来一直在下滑，今年6月底以来正式低于合约价。 目前现货价格已经低于合约价10%左右，预示着后续合约价将继续下跌。

纵观服务器DRAM市场，得益于平台转换和数据中心建设项目，服务器需求较往年火爆。 但由于今年上半年DRAM供应吃紧，终端以超单状态维持稳定。 供应。 第三季，随着原厂持续提升伺服器DRAM出货比重，供货履行率已趋于饱和。 展望四季度，除了服务器需求的喧嚣，目前由于渠道价格持续走低，韩国原厂率先下调了四季度的价格目标，季度降幅为预计将达到5%左右，高于原先预期的2%%。

与服务器DRAM具有相似产品属性的PC DRAM也供过于求。 此外，英特尔新平台供应不足影响笔记本出货量，导致第四季度PC DRAM价格下降5%。 利基型消费类DRAM受中美贸易战带来的不确定因素影响。 需求向下修正，价格也从9月份开始下跌。 第四季度的跌幅更有可能超过PC DRAM和服务器内存。 身体。

占整体供应量最大比重的移动式DRAM价格也呈下降趋势。 展望第四季度，虽然新iPhone出货量增加导致需求逐渐增加，但由于新机型定价高于预期以及销售预测保守，供应过剩的局面难以扭转。内存。 预计第四季度分立（discrete）单体移动DRAM价格下降约3%，而eMCP方案因NAND Flash价格下降较快，价格下降较快，整体下降可能扩大到8%。

四季度DRAM产品价格走势预测

巧合的是，IC Insights在早前发布的一份报告中表示，预计2018年全球七大产品类别的市场规模将增长16%，低于2017年25%的实际增速。报告预测DRAM(Dynamic Random Access Memory)（及后续市场）的平均销售价格处于或接近峰值，预计2018年DRAM产品增长率为39%，2017年实际增长率为高达77%。 首当其冲的是两类主流内存产品。 报告预测，2018年DRAM（动态随机存取存储器）产品增长率为39%，而2017年实际增长率高达77%； 2018年NAND Flash（非易失性存储器品类之一）产品的预期增长率，2017年实际增长率高达53%。

IC Insights认为，平均售价的上涨带动了今年前8个月DRAM市场规模的持续上升。 但 IC Insights 预计 DRAM 平均售价（以及随后的市场增长）将达到或接近峰值，因为容量升级和扩展的资本支出将从 2019 年开始大幅上升。

据DIGITIMES报道，为稳定DRAM价格，三星电子和SK海力士可能会灵活调整供应以满足市场需求，避免DRAM价格下跌。 不过，除了国外分析师对市场持悲观态度外，韩国业界也预测韩国两大厂商将继续扩大DRAM供应，呼吁厂商暂停投资。

事实上，三星电子已经放缓了平泽厂DRAM生产线的扩产步伐，考虑采取更为保守的供应策略。 平泽工厂的剩余投资最早要到2018年底才能落实。 SK海力士即将建成的M15新厂将主要生产NAND Flash，而DRAM厂M16计划于2019年开工建设。

报道分析，三星电子近期降低了低利润的移动DRAM生产比例，增加了高利润DRAM的供应。 DRAM价格的缓慢下跌可能是受此转换过程的影响，并不完全是市场普遍认为的供过于求造成的。

专家认为，虽然NAND Flash降价是影响市场景气度的因素btc季度合约价，但涨价是不正常的。 制造商的制造工艺越来越先进，这应该会降低生产成本和市场价格。

韩国金融界呼吁韩国两大工厂减少扩产投资，避免价格过度下跌。 他们认为，三星电子在2018年下半年不会投资DRAM和NAND Flash的新产线，即使有投资，也是小规模的。 SK海力士在第三季度对NAND Flash进行了一些新的投资，而DRAM要到2018年底或2019年初才会有少量投资。